ผลิตภัณฑ์ของเหลวขนาดเล็ก

ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคชนิดเรเดียลตะกั่ว LK7

ผลิตภัณฑ์ขนาดเล็กพิเศษสูง 7 มม

ทุ่มเทให้กับอุปกรณ์จ่ายไฟระดับไฮเอนด์

5,000~6,000 ชั่วโมงในสภาพแวดล้อม 105°C

สอดคล้องกับ AEC-Q200 RoHS Directive Correspondence

สอบถามรายละเอียดเพิ่มเติม รายละเอียด
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคชนิดเรเดียลลีดขนาดเล็ก LMM

3,000~8,000 ชั่วโมงใน 105°C

สภาพแวดล้อมสำหรับพลังงานระดับสูง

จัดหาผลิตภัณฑ์ขนาดเล็กแบบแบน

สอดคล้องกับข้อกำหนด RoHS AEC-Q200

สอบถามรายละเอียดเพิ่มเติม รายละเอียด
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคชนิดเรเดียลตะกั่ว L3M

ผลิตภัณฑ์ที่มีความต้านทานต่ำ บาง และมีความจุสูง

2,000~5,000 ชั่วโมง ภายใต้สภาพแวดล้อม 105°C

สอดคล้องกับ AEC-Q200 RoHS Directive Correspondence

สอบถามรายละเอียดเพิ่มเติม รายละเอียด
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคชนิดชิปจิ๋ว VKL(R)

135 ℃ 2,000 ชั่วโมง

อุณหภูมิสูง, ESR ต่ำ, ชนิด SMD ความน่าเชื่อถือสูง

มีจำหน่ายสำหรับการติดตั้งพื้นผิวที่มีความหนาแน่นสูงและอัตโนมัติเต็มรูปแบบ

การเชื่อมแบบ Reflow ที่อุณหภูมิสูง

เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS

ผ่านการรับรอง AEC-Q200

สอบถามรายละเอียดเพิ่มเติม รายละเอียด
Chip Miniature ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติค VKL

125 ℃ 2,000 ~ 5,000 ชั่วโมง

ขนาดเล็ก ความถี่สูง และกระแสกระเพื่อมสูง

มีให้สำหรับการติดตั้งที่มีความหนาแน่นสูงและอัตโนมัติเต็มรูปแบบ

ผลิตภัณฑ์บัดกรี Reflow อุณหภูมิสูง

เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS

ผ่านการรับรอง AEC-Q200

สอบถามรายละเอียดเพิ่มเติม รายละเอียด
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคชนิดชิปขนาดเล็ก VKG

♦ 105 ℃ 8,000 ~ 12,000 ชั่วโมง

♦ ขนาดเล็ก ความถี่สูงและกระแสกระเพื่อมสูง

♦ มีให้สำหรับการติดตั้งที่มีความหนาแน่นสูงและอัตโนมัติเต็มรูปแบบ

♦ ผลิตภัณฑ์บัดกรีแบบรีโฟลว์อุณหภูมิสูง

♦ ได้มาตรฐาน RoHS

♦ ผ่านการรับรอง AEC-Q200

สอบถามรายละเอียดเพิ่มเติม รายละเอียด
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคชนิดชิปขนาดเล็ก VKM

105 ℃ 7,000 ^ 10,000 ชั่วโมง

ขนาดเล็ก ความถี่สูง และกระแสกระเพื่อมสูง

มีให้สำหรับการติดตั้งที่มีความหนาแน่นสูงและอัตโนมัติเต็มรูปแบบ

ผลิตภัณฑ์บัดกรี Reflow อุณหภูมิสูง

เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS

ผ่านการรับรอง AEC-Q200

สอบถามรายละเอียดเพิ่มเติม รายละเอียด
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคแบบชิปขนาดเล็ก VKO

105 ℃ 6,000 ~ 8,000 ชั่วโมง

ขนาดเล็ก ความถี่สูง และกระแสกระเพื่อมสูง

มีให้สำหรับการติดตั้งแบบอัตโนมัติเต็มรูปแบบที่มีความหนาแน่นสูง

ผลิตภัณฑ์บัดกรี Reflow อุณหภูมิสูง

เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS

สอบถามรายละเอียดเพิ่มเติม รายละเอียด
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคชนิดเหลวชนิด SMD VK7

แหล่งจ่ายไฟระดับไฮเอนด์ขนาดเล็กพิเศษสูง 7 มม. โดยเฉพาะ

40006000 ชั่วโมงที่ 105 ℃

สอดคล้องกับ AEC-Q200 RoHS Directive Correspondence

เหมาะสำหรับการบัดกรีแบบรีโฟลว์ที่อุณหภูมิสูงแบบติดพื้นผิวอัตโนมัติที่มีความหนาแน่นสูง

สอบถามรายละเอียดเพิ่มเติม รายละเอียด
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคชนิดของเหลวขนาดเล็ก VMM

105 ℃ 3,000 ~ 8,000 ชั่วโมง

ความสูง 5 มม. ชนิดแบนพิเศษ

มีจำหน่ายสำหรับการติดตั้งพื้นผิวที่มีความหนาแน่นสูงและอัตโนมัติเต็มรูปแบบ

การเชื่อมแบบ Reflow ที่อุณหภูมิสูง

เป็นไปตามข้อกำหนด RoHS

ผ่านการรับรอง AEC-Q200

สอบถามรายละเอียดเพิ่มเติม รายละเอียด
ตัวเก็บประจุอลูมิเนียมอิเล็กโทรลีติคชนิดชิปขนาดเล็ก V3M

ผลิตภัณฑ์ V-CHIP ที่มีความต้านทานต่ำ บาง และความจุสูง
2,000 ~ 5,000 ชั่วโมงที่ 105 ℃
สอดคล้องกับ AEC-Q200 RoHS Directive Correspondence
เหมาะสำหรับการบัดกรีแบบรีโฟลว์ที่อุณหภูมิสูงแบบติดพื้นผิวอัตโนมัติที่มีความหนาแน่นสูง

สอบถามรายละเอียดเพิ่มเติม รายละเอียด
ตัวเก็บประจุไฟฟ้าอลูมิเนียมชนิดชิป V3MC

ตัวเก็บประจุไฟฟ้าอะลูมิเนียมชนิดชิป V3MC ด้วยความจุไฟฟ้าสูงเป็นพิเศษและ esr ต่ำ จึงเป็นผลิตภัณฑ์ขนาดย่อส่วน ซึ่งสามารถรับประกันอายุการใช้งานได้อย่างน้อย 2000 ชั่วโมงเหมาะสำหรับสภาพแวดล้อมที่มีความหนาแน่นสูงเป็นพิเศษ สามารถใช้สำหรับการติดตั้งพื้นผิวอัตโนมัติเต็มรูปแบบ สอดคล้องกับการเชื่อมบัดกรีแบบรีโฟลว์ที่อุณหภูมิสูง และสอดคล้องกับคำสั่ง RoHS

สอบถามรายละเอียดเพิ่มเติม รายละเอียด